发明名称 一种三维光电集成结构及其制作方法
摘要 本发明公开一种三维光电集成结构及其制作方法,所述三维光电集成结构包括:光电子芯片;再布线介质;电子器件;基板,所述再布线介质通过所述焊球固定于所述基板上;光纤,与所述光子器件耦合。通过设置多层介质层,并在多层介质层内设置互连金属线,采用了该成熟的再布线技术,工艺简单,实现输入输出接口的引出,可根据后续集成的需要,灵活的分配输入输出接口,从而实现了层间互连,且避免了采用硅通孔技术,保证了光子芯片的性能,另外,将所述光电子器件设置于所述互连介质和所述基底的同一侧,即使得所述光电子器件使用倒扣互连,不仅提高传输速率,而且提高了散热效果。
申请公布号 CN105321929A 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201510528257.9 申请日期 2015.08.26
申请人 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 发明人 刘丰满;曹立强;郝虎
分类号 H01L23/535(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/535(2006.01)I
代理机构 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人 刘杰
主权项 一种三维光电集成结构,其特征在于,所述三维光电集成结构包括:光电子芯片,包括埋氧层、顶层互连介质、顶层硅、背向反射光栅、光子器件,所述顶层硅设置于所述埋氧层和所述顶层互连介质之间,所述光子器件设置于所述顶层硅内,且所述光子器件的光子器件焊盘设置于所述顶层互连介质上;再布线介质,设置于所述光电子芯片上,包括多个介质层、设置于所述介质层内且用于电性连接所述光子器件焊盘的金属线、设置于所述再布线介质上远离所述光电子芯片的表面上且与金属线接触的下金属化的凸点、设置于所述下金属化的凸点的焊球;电子器件,设置于所述多个介质层上最靠近所述光电子芯片的介质层内,所述电子器件的电子器件焊盘与所述金属线电性接触;基板,所述再布线介质通过所述焊球固定于所述基板上;光纤,与所述背向反射光栅耦合。
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