| 发明名称 | 金属-绝缘体-金属电容器结构 | ||
| 摘要 | 本文描述了能够提供低压电容器和高压电容器二者的电容器结构。在一个实施例中，电容器结构包括低压电容器和高压电容器。该低压电容器包括从第一金属层形成的第一电极、从第二金属层形成的第二电极、从第三金属层形成的第三电极、在第一与第二电极之间的第一介电层、以及在第二与第三电极之间的第二介电层。该高压电容器包括从第一金属层形成的第四电极、从第三金属层形成的第五电极、以及在第四与第五电极之间的第三介电层，其中，该第三介电层比第一介电层或者第二介电层厚。 | ||
| 申请公布号 | CN105324862A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201480033612.9 | 申请日期 | 2014.06.13 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | R·亚库什卡斯;V·斯里尼瓦斯;R·W·C·金 |
| 分类号 | H01L49/02(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L49/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 袁逸 |
| 主权项 | 一种电容器结构，包括：低压电容器，其中所述低压电容器包括：从第一金属层形成的第一电极；从第二金属层形成的第二电极；从第三金属层形成的第三电极；在所述第一与第二电极之间的第一介电层；以及在所述第二与第三电极之间的第二介电层；以及高压电容器，其中所述高压电容器包括：从所述第一金属层形成的第四电极；从所述第三金属层形成的第五电极；以及在所述第四与第五电极之间的第三介电层；其中所述第三介电层比所述第一介电层或者所述第二介电层中的任一者都厚。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||