| 发明名称 | SRAM FINFET器件的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管(FINFET)器件的实施例。该器件包括设置在衬底的n型FinFET(NFET)区域上方的第一鳍结构。第一鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的氧化硅锗(SiGeO)层和设置在SiGeO层上方的锗(Ge)部件。该器件还包括位于p型FinFET(PFET)区域中的衬底上方的第二鳍结构。第二鳍结构包括：硅(Si)层、设置在硅层上方的凹进的氧化硅锗(SiGeO)层、设置在凹进的SiGeO层上方的外延硅锗(SiGe)层以及设置在外延SiGe层上方的锗(Ge)部件。本发明还提供了形成FINFET器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105322014A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201410778074.8 | 申请日期 | 2014.12.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚;冯家馨;吴志强;卡洛斯·H.·迪亚兹 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种器件，包括：第一鳍结构，设置在衬底的n型FinFET(NFET)区域上方，所述第一鳍结构包括：硅(Si)层；氧化硅锗(SiGeO)层，设置在所述硅层上方；及锗(Ge)部件，设置在所述SiGeO层上方；以及第二鳍结构，位于p型FinFET(PFET)区域中的所述衬底上方，所述第二鳍结构包括：硅(Si)层；凹进的氧化硅锗(SiGeO)层，设置在所述硅层上方；外延硅锗(SiGe)层，设置在所述凹进的SiGeO层上方；及锗(Ge)部件，设置在所述外延SiGe层上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||