Procédé de croissance épitaxiale d'une matière semi-conductrice,申请号FR19630922093-传众专利搜索

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发明名称	Procédé de croissance épitaxiale d'une matière semi-conductrice
摘要
申请公布号	FR1345943(A)	申请公布日期	1963.12.13
申请号	FR19630922093	申请日期	1963.01.21
申请人	HUGHES AIRCRAFT COMPANY	发明人
分类号	C23C16/48;H01L21/20;H01L23/29	主分类号	C23C16/48
代理机构		代理人
主权项
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