发明名称 | 光电元件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种光电元件及其制造方法,该光电元件包含:一第一半导体层,具有至少四个边界、一第一表面、一与第一表面相对的第二表面,其中任意两相邻些边界可构成一角落;一第二半导体层形成于第一半导体层的第一表面之上;一第二电性电极形成于第二半导体层之上;以及至少两个第一电性电极形成于第一半导体层的第一表面之上,其中该些第一电性电极彼此分离并形成一设计型态。 | ||
申请公布号 | CN105322066A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
申请号 | CN201410327049.8 | 申请日期 | 2014.07.10 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 陈昭兴;王佳琨;廖健智;曾咨耀;柯淙凯;沈建赋 |
分类号 | H01L33/38(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
主权项 | 一种光电元件,包含:第一半导体层,具有至少四个边界、一第一表面、一与该第一表面相对的第二表面,其中任意两相邻该些边界可构成一角落;第二半导体层,形成于该第一半导体层的该第一表面之上;第二电性电极,形成于该第二半导体层之上;以及至少两个第一电性电极,形成于该第一半导体层的该第一表面之上,其中该些第一电性电极彼此分离并形成一设计型态。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |