| 发明名称 | 用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有不同应变的NMOS FinFET和PMOS FinFET的电路器件。在示例性实施例中，半导体器件包括其上形成有第一鳍结构和第二鳍结构的衬底。第一鳍结构包括：设置在衬底的表面之上的相对的源极/漏极区域；设置在相对的源极/漏极区域之间且设置在衬底的表面之上的沟道区域；以及设置在沟道区域和衬底之间的第一掩埋层。第一掩埋层包括化合物半导体氧化物。第二鳍结构包括设置在衬底和第二鳍结构的沟道区域之间的第二掩埋层，使得第二掩埋层在组成上不同于第一掩埋层。例如，第二鳍结构可以不包括化合物半导体氧化物。本发明涉及用于非平面化合物半导体器件的沟道应变控制。 | ||
| 申请公布号 | CN105321822A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201410768915.7 | 申请日期 | 2014.12.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；以及鳍结构，形成在所述衬底上，其中，所述鳍结构包括：相对的源极/漏极区域，设置在所述衬底的表面之上；沟道区域，设置在所述相对的源极/漏极区域之间并且设置在所述衬底的表面之上；和掩埋层，设置在所述沟道区域和所述衬底之间，其中，所述掩埋层包括化合物半导体氧化物。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||