| 发明名称 | 化学机械抛光装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及化学机械抛光装置，上述化学机械抛光装置包括：抛光板，以与晶片的抛光面相接触的方式进行旋转，以对上述抛光面进行抛光；浆液供给部，在上述晶片以与上述抛光板相接触的方式进行抛光的工序中，供给浆液；以及温度调节单元，在向上述抛光板供给晶片之前，对上述晶片进行加热，由此，能够缩短每单位时间的抛光量保持较低状态的初始阶段所需的时间，因此，能够通过缩短化学机械抛光工序所需的整个时间来提高生产率，能够提供有利于使晶片抛光面的抛光量偏差较小的进行控制的环境。 | ||
| 申请公布号 | CN205021393U | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201520508997.1 | 申请日期 | 2015.07.14 |
| 申请人 | K.C.科技股份有限公司 | 发明人 | 任桦爀;金旻成;董慜攝;金钟千 |
| 分类号 | B24B37/04(2012.01)I;B24B37/015(2012.01)I;B24B57/02(2006.01)I | 主分类号 | B24B37/04(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 姜虎;陈英俊 |
| 主权项 | 一种化学机械抛光装置，用于对晶片的抛光层进行抛光，其特征在于，包括：抛光板，以与上述晶片的抛光面相接触的方式进行旋转，以对上述抛光面进行抛光；浆液供给部，在对上述晶片以与上述抛光板相接触的方式进行抛光的工序中供给浆液；以及温度调节单元，在向上述抛光板供给晶片之前，对上述晶片进行加热。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||