发明名称 一种基于CMOS工艺的TANDOR门电路
摘要 本发明设计了一种基于CMOS工艺的TANDOR门电路,该门电路包括第一、第二、第三和第四高阈PMOS管;第一、第二、第三和第四高阈NMOS管;第一、第二、第三、第四、第五和第六低阈PMOS管;第一、第二、第三、第四、第五和第六低阈NMOS管。跟现有技术比较,该TANDOR门电路的优点是:本发明在保证功能正确的前提下,降低了电路的复杂度,少用了16个MOS管;而且经分析比较表明,本发明的TANDOR门电路的关键路径比现有技术的电路短,缩短了电路的传输延迟时间,提高了电路的性能。
申请公布号 CN103248355B 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201310192692.X 申请日期 2013.05.20
申请人 浙江工商大学 发明人 郎燕峰
分类号 H03K19/20(2006.01)I 主分类号 H03K19/20(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于CMOS工艺的三值“与或”复合门电路TANDOR(Ternary AND‑OR),其功能是实现四个三值变量的两次三值“与”运算和一次三值“或”运算于单个门电路中;所述三值“与或”复合门电路的输出信号Y在控制信号N1和N2的控制下形成,输出信号Y与控制信号N1和N2之间的CMOS电路连接为:两个栅极接控制信号N1的阈‑0.5的PMOS管和阈0.5的NMOS管分别记为pN1和nN1,两个栅极接控制信号N2的阈‑0.5的PMOS管和阈0.5的NMOS管分别记为pN2和nN2,所述pN2、pN1和nN1的源极分别接逻辑值2、逻辑值1和地,所述pN1的漏极与所述nN2的源极相接,所述pN2、nN2和nN1的漏极连接至所述输出信号Y;所述三值“与或”复合门电路的特征在于由四个输入信号A、B、C和D产生所述控制信号N1和N2的CMOS电路部分,其为一个单一的整体,其连接为:四个栅极接信号A、B、C和D的阈‑1.5的PMOS管分别记为p1、p2、p3和p4,四个栅极接信号A、B、C和D的阈‑0.5的PMOS管分别记为p5、p6、p7和p8,四个栅极接信号A、B、C和D的阈0.5的NMOS管分别记为n1、n2、n3和n4,四个栅极接信号A、B、C和D的阈1.5的NMOS管分别记为n5、n6、n7和n8;所述p1、p2、p5和p6的源极都接逻辑值2,所述p1和p2的漏极相接于结点s,所述p3和p4的源极相接于结点t,所述结点s和t相接在一起,所述p5和p6的漏极相接于结点h,所述p7和p8的源极相接于结点g,所述结点h和g相接在一起,所述n2、n4、n6和n8的源极都接地,所述n2、n4、n6和n8的漏极分别与所述n1、n3、n5和n7的源极相接,所述p3、p4、n1和n3的漏极都相接于所述控制信号N1,所述p7、p8、n5和n7的漏极都相接于所述控制信号N2。
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