半导体器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，器件的漂移区中包括一掺杂浓度为缓慢增加的缓变区，缓变区位于硅片的背面一侧且缓变区的掺杂浓度大于均匀区的掺杂浓度。较高掺杂的缓变区能保证器件得到较低的导通电阻，同时，缓变区的掺杂浓度的增加速率得到了良好的控制，能消除现有场阻断型半导体器件中存在的场阻断层中的内建电场较大的缺陷，从而能使器件在关断时的电流下降速度得到有效控制，能提高器件的可靠性。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，半导体器件包括：一形成于硅片的正面的第一P型区；一形成于所述硅片的背面的第二P型区，在所述第二P型区的背面形成有背面电极；一N型区，该N型区位于所述第一P型区和所述第二P型区之间，所述N型区为所述半导体器件的漂移区；所述N型区包括第一N型区和第二N型区，所述第一N型区的杂质浓度均匀，所述第二N型区的杂质浓度为一缓变结构；所述第二N型区位于所述第一N型区和所述第二P型区之间，所述第一N型区的杂质浓度为第一杂质浓度，所述第二N型区的杂质浓度在所述第一杂质浓度的基础上增加、且所述第二N型区的杂质浓度至少包括一个峰值；在所述第一N型区到所述第二P型区的方向上的所述第二N型区的各所述峰值区域的杂质浓度增加的区域中，从杂质浓度为所述第一杂质浓度的位置到杂质浓度为10倍的所述第一杂质浓度的位置之间的所述第二N型区的杂质浓度随位置的增加速率的最大值小于10C1/微米，C1表示所述第一杂质浓度的值；所述第二N型区中的从杂质浓度为10倍的所述第一杂质浓度的位置到杂质浓度为50倍的所述第一杂质浓度的位置之间的所述第二N型区的杂质浓度随位置的增加速率的最大值小于300C1/微米。