| 发明名称 | 复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法。所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。根据本发明的复合单晶薄膜具备铌酸锂或钽酸锂材料良好的非线性光学、声光、电光等效应，同时还具备硅材料的加工工艺成熟的特性，因此本发明的复合单晶薄膜能够与现有的IC生产工艺实现更好的兼容，具有非常广阔的产业前景。此外，根据本发明的制造复合单晶薄膜的方法能够实现稳定、有效的工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105321806A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510520492.1 | 申请日期 | 2015.08.21 |
| 申请人 | 济南晶正电子科技有限公司 | 发明人 | 胡文 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强 |
| 主权项 | 一种复合单晶薄膜，其特征在于，所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。 | ||
| 地址 | 250101 山东省济南市高新区舜华路750号B303-1 | ||