发明名称 |
MIM电容器的测试结构和测试方法 |
摘要 |
本发明公开了一种MIM电容器的测试结构和测试方法,该测试方法包括:提供MIM电容器,该MIM电容器包括上、下金属层、设置在上、下金属层之间的上、下极板以及设在所述上、下极板之间的介电层;在所述上极板四周设置若干通孔,所述通孔连接至上金属层和下极板,形成MIM电容器的测试结构;对上述器件进行测试,以确认上极板是否存在金属残留。本发明通过在MIM电容器的上极板四周设置通孔,并使通孔连接至上金属层和下极板,形成MIM电容器的测试结构之后,再进行测试,可以有效测试出MIM电容器的上极板存在金属残留的情况,避免在后续工艺中有与下极板的通孔形成短路的风险。 |
申请公布号 |
CN105321836A |
申请公布日期 |
2016.02.10 |
申请号 |
CN201510680458.0 |
申请日期 |
2015.10.19 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
尹彬锋;王炯;吴奇伟 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种MIM电容器的测试方法,其特征在于,包括:提供MIM电容器,该MIM电容器包括上、下金属层、设置在上、下金属层之间的上、下极板以及设在所述上、下极板之间的介电层;在所述上极板四周设置若干通孔,所述通孔连接至上金属层和下极板,形成MIM电容器的测试结构,且所述通孔与所述上极板之间的间距为生产该MIM电容器工艺对应的设计规则中规定的最小间距或者最小间距的90%;对上述器件进行测试,以确认上极板是否存在金属残留。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |