| 发明名称 | 氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20-30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列在室温检测二氧化氮气体上的应用。在室温下氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列对5ppm级别的NO<sub>2</sub>气体具有的响应灵敏度是单纯氧化钨纳米线灵敏度的7-9倍，响应时间小于3s。 | ||
| 申请公布号 | CN105319242A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201510776094.6 | 申请日期 | 2014.11.05 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 秦玉香;柳杨;谢威威;刘成;胡明 |
| 分类号 | G01N27/00(2006.01)I;B81B7/04(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人 | 王秀奎 |
| 主权项 | 氧化钨—氧化钒异质结纳米线阵列作为气敏材料的应用，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10‑20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20‑30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||