半导体陶瓷组合物和PTC 热敏电阻器

摘要

本发明提供一种常温电阻率小且电阻温度系数α大的BaTiO₃系半导体陶瓷组合物。该半导体陶瓷组合物，其特征在于，由通式(1)表示，包含0.010～0.050mol的Sr，并且Sr的摩尔比u与Bi的摩尔比x满足下述式(6)，(Ba_1-x-y-wBi_xA_yRE_w)_m(Ti_1-zTM_z)O₃ (1)(A为选自Na或K中的至少一种，RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种，TM为选自V、Nb和Ta中的至少一种，w、x、y、z和m满足下述式(2)～(5)。0.007≤x≤0.125(2)；x<y≤2.0x(3)；0≤(w+z)≤0.010(4)；0.940≤m≤0.999(5))u≤1.8x-0.008 (6)。

主权项

一种半导体陶瓷组合物，其特征在于，由通式(1)表示，(Ba_{1‑x‑y‑w}Bi_xA_yRE_w)_m(Ti_1‑zTM_z)O₃   (1)在所述通式(1)中，所述A为选自Na或K中的至少一种元素，所述RE为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy和Er中的至少一种元素，所述TM为选自V、Nb和Ta中的至少一种元素，w、x、y、z和m满足下述式(2)～(5)，其中，w、x、y、z的单位均为摩尔，m为Ba位点/Ti位点的摩尔比，0.007≤x≤0.125   (2)x<y≤2.0x   (3)0≤(w+z)≤0.010   (4)0.940≤m≤0.999   (5)，进一步地，相对于Ti位点1摩尔，以元素换算为0.010摩尔以上且0.050摩尔以下的比例包含Sr，且所述Sr的摩尔比u与所述Bi的摩尔比x满足下述式(6)，u≤1.8x‑0.008   (6)。