SiCN膜的成膜方法

摘要

本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。

主权项

一种SiCN膜的成膜方法，其为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有所述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给所述Si原料气体的工序之后向所述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序，作为所述氮化剂，使用以下述通式(1)表示的氮与碳的化合物：其中，所述通式(1)中，R¹、R²、R³为氢原子或任选具有取代基的碳原子数1～8的直链状或支链状的烷基。