发明名称 具有开关的相变存储器的高能效置位写入
摘要 本文大体描述了具有开关的相变存储器的高能效置位写入的装置和方法的实施例。描述和要求了其它实施例。
申请公布号 CN102656641B 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201080056313.9 申请日期 2010.10.15
申请人 英特尔公司 发明人 D·考;J·卡尔布;E·卡波夫;G·司帕迪尼
分类号 G11C13/02(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I 主分类号 G11C13/02(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 钱慰民
主权项 一种用于具有开关的相变存储器的高能效置位写入的方法,所述具有开关的相变存储器包括相变存储器存储元件和存取元件,所述方法包括:使用低能量置位脉冲起动所述存取元件,并对所述相变存储器存储元件中的相变材料作写入操作,其中所述相变存储器存储元件包括结晶体积、无定形体积,并且置位脉冲在所述无定形体积中产生一最终完全延伸通过所述无定形体积的导电细丝并允许电流流过,由此增加置位电阻,并减少了相变材料的阈值电压,其中低能量置位脉冲包括置位电流,并且在对相变材料作写入操作后,所述相变存储器存储元件包括无定形的体积;以及使用界限电压对具有开关的相变存储器作读出操作,其中所述存取元件是与所述相变存储器存储元件中的所述相变材料相同也表现出阈值切换的双向阈值开关,所述存取元件和所述相变存储器存储元件是串联的。
地址 美国加利福尼亚州