编程存储单元与数据读取方法、存储器控制器与储存装置

摘要

一种编程存储单元与数据读取方法、存储器控制器与储存装置。该编程存储单元的方法，用于可重写式非易失性存储器模块。此编程存储单元的方法包括：接收用以指示对一个逻辑页面进行变更操作的指令；并且根据此指令识别逻辑页面中的无效逻辑存取地址与有效逻辑存取地址。本编程存储单元的方法还包括：选择一个物理页面；将对应有效逻辑存取地址的标志设定为有效状态，将对应无效逻辑存取地址的标志设定为无效状态；根据上述的变更操作将上述的标志与属于有效逻辑存取地址的数据编程至所选择的物理页面；以及将此物理页面映射至此逻辑页面。藉此，本方法可有效地增加编程存储单元的速度。

主权项

一种编程存储单元的方法，用于一可重写式非易失性存储器模块，该可重写式非易失性存储器模块包括多个物理区块，每一该些物理区块包括多个物理页面，每一所述物理页面包括一数据位区与一冗余位区，该数据位区包括多个物理存取地址，该冗余位区分别地记录对应所述物理存取地址的多个标志，多个逻辑页面被配置以映射部分的所述物理页面，并且每一所述逻辑页面具有多个逻辑存取地址，该编程存储单元的方法包括：接收一指令，其中该指令指示对所述逻辑页面之中的一第一逻辑页面进行一变更操作；根据该指令识别该第一逻辑页面的所述逻辑存取地址之中的至少一无效逻辑存取地址与至少一有效逻辑存取地址；从所述物理页面中选择一第一物理页面；将对应该第一逻辑页面的该至少一有效逻辑存取地址的至少一标志设定为一有效状态，将对应该第一逻辑页面的该至少一无效逻辑存取地址的至少一标志设定为一无效状态；根据该变更操作将对应该第一逻辑页面的该至少一有效逻辑存取地址的数据编程至该第一物理页面的数据位区，将对应该第一逻辑页面的该至少一有效逻辑存取地址的至少一标志与对应该第一逻辑页面的该至少一无效逻辑存取地址的至少一标志编程至该第一物理页面的冗余位区，其中在该第一物理页面的该数据位区中除了对应该第一逻辑页面的该至少一有效逻辑存取地址的数据之外，其它数据为无效数据；以及将该第一物理页面映射至该第一逻辑页面。