| 发明名称 | 用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层 | ||
| 摘要 | 公开了在凹槽的表面上形成并去除反应层以提供用于改善在该凹槽中形成的半导体材料的厚度均匀性的机构的方法。改善的厚度均匀性反过来又改善了器件性能的均匀性。本发明提供了用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层。 | ||
| 申请公布号 | CN103137491B | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201210183275.4 | 申请日期 | 2012.06.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林承德;王智麟;吴怡璜;张宗生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种在衬底的凹槽中形成外延半导体材料的方法，包括：图案化所述衬底；蚀刻所述衬底以在所述衬底中形成所述凹槽；实施表面处理以将所述凹槽的表面转化成反应层，其中，在等于或高于925℃的温度下利用含氧气体实施所述表面处理；去除所述反应层；以及在所述凹槽中形成所述外延半导体材料，其中，所述外延半导体材料的厚度变化等于或小于<img file="FDA0000845675550000011.GIF" wi="164" he="74" /> | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||