提高光刻机可用焦深的方法

摘要

本发明揭示了一种提高光刻机可用焦深的方法。本方法通过配置仿真工艺环境，确定符合误差要求的正面曝光剂量范围以及背面曝光剂量范围，然后对所述正面曝光剂量和背面曝光剂量的范围进行优化，获得正面曝光剂量和背面曝光剂量的最佳组合。采用本发明的提高光刻机可用焦深的方法可以有效增大可用焦深，达到提高基底上图形均匀性，减少色差的效果。

主权项

一种提高光刻机可用焦深的方法，在透光的基底上进行光刻工艺，其特征在于，包括： 步骤一、配置仿真工艺环境，包括：标定所用光刻胶参数，将标定的光刻胶参数输入光刻仿真软件；输入掩模图形信息；输入光刻设备参数；设定不同的正面曝光剂量和背面曝光剂量，得到不同剂量下的曝光图形； 步骤二、确定符合误差要求的正面曝光剂量范围以及背面曝光剂量范围； 步骤三、均匀选取符合误差要求的正面曝光剂量和背面曝光剂量组合，在不同焦面位置下曝光并显影； 步骤四、测量显影后得到的CD值，依据焦面顶部位置、底部位置及中部位置画出顶部CD，底部CD以及中部CD随焦面变化的曲线； 步骤五、拟合顶部CD曲线和底部CD曲线，根据要求的CDU计算焦深； 步骤六、如果计算所得焦深非最大可用焦深，则需对正面曝光剂量和背面曝光剂量组合进行优化，即进入步骤七；如果计算所得焦深为最大可用焦深，则进入步骤八； 步骤七、对正面曝光剂量和背面曝光剂量组合进行优化，通过观察顶部CD曲线和底部CD曲线以确定剂量优化方向，优化完成后重复步骤三至步骤六； 步骤八、确认最大可用焦深的最优正面曝光剂量和背面曝光剂量的组合； 步骤九、以只有正面曝光的正常剂量，以及包括最优正面曝光剂量和背面曝光剂量的组合进行变焦面蛇形路径曝光，测量CD并拟合CD随焦面位置变化曲线，计算焦深，确认最优正面曝光剂量和背面曝光剂量组合可以增加可用焦深； 步骤十、以只有正面曝光的正常剂量，以及包括最优正面曝光剂量和背面曝光剂量的组合进行全片曝光，确认最优正面曝光剂量和背面曝光剂量组合对色差的减弱效果。