发明名称 半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器
摘要 本发明公开了一种半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器,包括激光棒,激光棒前端前方设置有起偏器、LGS电光调Q晶体、输出腔片,激光棒后端后方设置有45度反射镜、准直聚焦透镜,激光棒后端后方位于45度反射镜反射面一侧依次设置有1/4波片、后腔片;还包括有控制器、半导体激光器、半导体激光电源、退压调Q高压模块,半导体激光器通过石英光纤与准直聚焦透镜后端耦合连接,半导体激光电源、退压调Q高压模块分别接入控制器,且半导体激光电源供电至半导体激光器,退压调Q高压模块与LGS电光调Q晶体连接。本发明同时具有重复频率高、激光脉宽窄、激光模式好等特点。
申请公布号 CN105322429A 申请公布日期 2016.02.10
申请号 CN201510808582.0 申请日期 2015.11.19
申请人 中国科学院合肥物质科学研究院 发明人 程庭清;王礼;王金涛;杨经纬;邢庭伦;胡舒武;崔庆哲;吴先友;江海河
分类号 H01S3/11(2006.01)I;H01S3/0941(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I 主分类号 H01S3/11(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 余成俊
主权项 半导体激光端面泵浦Er:YSGG电光调Q激光器,其特征在于:包括由Er:YSGG激光晶体构成的激光棒,激光棒前端前方沿激光棒中心轴线延伸线依次设置有起偏器、由硅酸镓镧晶体构成的LGS电光调Q晶体、输出腔片,激光棒后端后方沿激光棒中心轴线延伸线依次设置有45度反射镜、准直聚焦透镜,所述准直聚焦透镜前端朝向激光棒后端,激光棒后端后方位于45度反射镜反射面一侧依次设置有1/4波片、后腔片;还包括有控制器、半导体激光器、半导体激光电源、退压调Q高压模块,所述半导体激光器通过石英光纤与准直聚焦透镜后端耦合连接,所述半导体激光电源、退压调Q高压模块分别接入控制器,且半导体激光电源供电至半导体激光器,退压调Q高压模块与LGS电光调Q晶体连接。
地址 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号