| 摘要 |
発光団（１）を有する試料（３）構造（２）の高空間分解イメージング方法では、励起可能な電子基底状態から励起発光状態に発光団（１）を励起するルミネッセンス励起光（７）を測定範囲（５）の前記試料（３）に当てる。さらに、励起発光状態から励起可能な電子基底状態に発光団（１）を戻すルミネッセンス減衰光（８）の強度分布であり、局所的最小値（９）を有する強度分布を試料（３）の測定範囲（５）に当てる。測定範囲（５）から放出された発光光（１０）を記録し、この発光光を試料（３）の局所的最小値（９）の位置に割り当てる。測定範囲（５）の試料（３）に、ルミネッセンス励起光を当てる前に、励起可能な電子基底状態から保護状態に発光団（１）を変換する励起阻止光（４）の強度分布を当て、この保護状態では、発光団（１）がルミネッセンス励起光（７）とルミネッセンス減衰光（８）とによって電子励起から保護されている。励起阻止光（４）の強度分布は、ルミネッセンス減衰光（８）の強度分布の局所的最小値（９）と重なる局所的最小値（６）を有している。【選択図】図１ |
