| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure comportant les étapes successives suivantes : - fournir un substrat support de silicium dit de haute résistivité (2) comportant une partie inférieure et une partie supérieure (3) ayant subit un dopage de type p sur une profondeur D ; - former une couche mésoporeuse (1) de silicium dans la partie supérieure (3) dopée du substrat support (2) ; - former une couche diélectrique (6) sur la couche mésoporeuse de silicium (1) ; - former une couche semi-conductrice (7) sur la couche diélectrique (6) ; le procédé de fabrication étant caractérisé en ce que, avant de former la couche diélectrique (6), la couche mésoporeuse (1) de silicium est obtenue par un procédé d'électrolyse de la partie supérieure (3) dopée du substrat support (2) de silicium haute résistivité selon un taux de porosité prédéterminés. |
