Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Es werden sowohl ein HEMT als auch eine SBD auf einem Nitrid-Halbleitersubstrat ausgebildet. Das Nitid-Halbleitersubstrat weist einen HEMT-Gate-Strukturbereich und einen Anodenelektrodenbereich auf. Eine erste laminierte Struktur ist zumindest in dem HEMT-Gate-Strukturbereich ausgebildet und umfasst erste bis dritte Nitrid-Halbleiterschichten. Eine zweite laminierte Struktur ist zumindest in einem Teil des Anodenelektrodenbereichs ausgebildet und umfasst eine erste und eine zweite Nitrid-Halbleiterschicht. Die Anodenelektrode steht mit der vorderen Oberfläche der zweiten Nitrid-Halbleiterschicht in Kontakt. Zumindest in einem Kontaktbereich, in dem die vordere Oberfläche der zweiten Nitrid-Halbleiterschicht mit der Anodenelektrode in Kontakt steht, wird die vordere Oberfläche der zweiten Nitrid-Halbleiterschicht als eine Oberfläche bearbeitet, durch welche die zweite Nitrid-Halbleiterschicht einen Schottky-Übergang mit der Anodenelektrode bildet.