| 摘要 |
<p>Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung mit einem Halbleiterelement, worin das Halbleiterelement in einem Halbleitersubstrat (1–3) angeordnet ist, das eine Siliziumkarbidschicht (2, 3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Siliziumsubstrat (1) aufweist, und worin die Siliziumkarbidschicht (2, 3) eines ersten Leitfähigkeitstyps an einer Hauptoberfläche (1a) des Siliziumsubstrats (1) angeordnet ist, wobei die Vorrichtung Folgendes aufweist: einen Graben (10), der an einer Oberfläche der Siliziumkarbidschicht (2, 3) derart angeordnet ist, dass er das Siliziumsubstrat (1) erreicht; und eine leitfähige Schicht (11), die in dem Graben (10) an einem Grenzabschnitt zwischen der Siliziumkarbidschicht (2, 3) und dem Siliziumsubstrat (1) derart angeordnet ist, dass sie sowohl mit der Siliziumkarbidschicht (2, 3) als auch mit Siliziumsubstrat (1) in Verbindung steht, worin das Halbleiterelement ein Halbleiterelement des vertikalen Typs ist, so dass Strom sowohl an einem oberen Oberflächenabschnitt als auch an einem rückwärtigen Oberflächenabschnitt des Halbleitersubstrats (1–3) fließt, und der Strom durch die leitfähige Schicht (11) fließt.</p> |
