| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und ein optoelektronisches Bauelement mit einer aktiven Zone (3) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone (3) an wenigstens eine Schichtanordnung (100, 200) aus einem halbleitenden Material angrenzt, wobei die Schichtanordnung (100, 200) wenigstens zwei Schichten aufweist, wobei die zwei Schichten in der Weise ausgebildet sind, dass an einer Grenzfläche zwischen den zwei Schichten ein piezoelektrisches Feld erzeugt wird, das einen elektrischen Spannungsabfall an der Grenzfläche bewirkt, wobei an der Grenzfläche der zwei Schichten und in den zwei Schichten ein Spitzendotierbereich (6, 13) vorgesehen ist, um den elektrischen Spannungsabfall zu reduzieren, wobei eine Dotierung des Spitzendotierbereiches in Richtung weg von der aktiven Zone wenigstens um einen ersten Prozentwert ansteigt und wieder um wenigstens einen zweiten Prozentwert abfällt, wobei der erste und der zweite Prozentwert größer als 10 % einer maximalen Dotierung des Spitzendotierbereiches ist. |
