半導体基板、半導体基板の製造方法および複合基板の製造方法

摘要

半導体結晶層形成基板の上方に、犠牲層、第１半導体結晶層および第２半導体結晶層を有し、半導体結晶層形成基板、犠牲層、第１半導体結晶層および第２半導体結晶層が、半導体結晶層形成基板、犠牲層、第１半導体結晶層、第２半導体結晶層の順に位置し、半導体結晶層形成基板または犠牲層を構成する複数種類の原子から選択された一の種類の第１原子が、第１半導体結晶層および第２半導体結晶層に不純物として含まれ、第２半導体結晶層における第１原子の濃度が、第１半導体結晶層における第１原子の濃度より低い半導体基板を提供する。