| 摘要 |
<p>Verfahren zur Erkennung von Defekten (207) auf einer Photolithographiemaske (200), wobei das Verfahren umfasst: Bestimmen eines zulässigen Bereichs an Parameterwerten jedes Belichtungsparameters einer Belichtungsparametereinstellung, wenn die Photolithographiemaske (200) während der Produktion eingesetzt wird; Ausführen mehrerer Belichtungsprozesse mit der Photolithographiemaske (200) auf der Grundlage einer ersten Belichtungsparametereinstellung (E1), um mehrere erste Bilder (261A) der Photolithographiemaske (200) zu erzeugen, wobei mindestens ein Parameterwert der ersten Belichtungsparametereinstellung außerhalb des zulässigen Bereichs liegt; Ausführen mehrerer Belichtungsprozesse mit der Photolithographiemaske (200) auf der Grundlage einer zweiten Belichtungsparametereinstellung (E2), um mehrere zweite Bilder (261B) der Photolithographiemaske (200) zu erzeugen, wobei zumindest ein Parameterwert der zweiten Belichtungsparametereinstellung außerhalb des zulässigen Bereichs liegt und sich die erste und die zweite Belichtungsparametereinstellung (E1, E2) zumindest in einem Parameterwert unterscheiden; und Ausführen eines Defektinspektionsprozesses mittels einer Inspektionsanlage (270) an den mehreren ersten und zweiten Bildern (261A, 261B), um das Vorhandensein eines sich wiederholenden Defekts (262A, 262D, 262F, 262H, 262I, 262L) in mindestens einigen der ersten und zweiten Bilder (261A, 261B) abzuschätzen.</p> |
