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<p>Differentialverstärkerschaltung, die in einem gemeinsamen Halbleitersubstrat gebildet ist, zum Erzeugen verstärkter Ausgabesignale (OUT, /OUT) durch Vergleichen von ersten und zweiten Eingabesignalen (IN, /IN), umfassend: ein Paar Eingangs-MOS-Transistoren (N21, N22) eines ersten Leitfähigkeitstyps, deren Gate-Elektroden mit ersten bzw. zweiten Eingabesignalen (IN, /IN) versorgt werden, deren Drain-Elektroden jeweils über Lastschaltungen (L1, L2) mit einer ersten Energiequelle (Vdd) verbunden sind und deren Source-Elektroden mit einem Anschluß einer ersten Stromquelle (I21) verbunden sind; ein Paar Ausgangs-MOS-Transistoren (P25, P24) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei das Drain-Signal des Paars Eingangs-MOS-Transistoren (N21, N22) des ersten Leitfähigkeitstyps jeweils in deren Gate-Elektroden eingegeben wird und jeweils ein Differentialausgabesignal (OUT, /OUT) an deren Drain-Elektroden erzeugt wird; und ein Paar Eingangs-MOS-Transistoren (P21, P22) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, deren Gate-Elektroden mit den zweiten bzw. ersten Eingabesignalen (IN, /IN) versorgt werden, deren Drain-Elektroden jeweils mit den Drain-Elektroden des Paares Ausgangs-MOS-Transistoren (P25, P24) verbunden sind und deren Source-Elektroden über eine zweite Stromquelle (I22) mit der ersten Energiequelle (Vdd) verbunden sind.</p> |
