| 摘要 |
不揮発性論理ゲート素子として、不揮発抵抗素子を少なくとも３つ以上接続した抵抗ネットワークを１つの記憶構造として有すると共に、記憶構造を成す抵抗ネットワークの抵抗値に対する記憶構造の耐性を発揮させる参照抵抗となるリファレンス抵抗ネットワークと、抵抗ネットワークへのデータ記憶時に、抵抗ネットワークを成す個々の不揮発抵抗素子の値を読み出す論理値に対応させた最大または最小として択一的に書き換える書き込み部と、記憶構造の論理値として、抵抗ネットワークの抵抗値とリファレンス抵抗ネットワークの抵抗値との比較により得られる値を用いる論理回路構造とを含ませて構成する。 |
