垂直双扩散MOS晶体管测试结构及形成方法、测试方法

摘要

一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构及形成方法、检测方法，所述测试结构具体包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与所述第一区域相对的第二区域；位于所述第一区域的半导体衬底内的凹槽，所述凹槽内填充满外延层；位于所述外延层表面的栅极结构，位于栅极结构表面的栅电极；位于所述栅极结构两侧的外延层内的第一源区和与所述第一源区相对的第二源区；位于所述第一源区和第二源区表面的源电极；位于所述第二区域的半导体衬底表面的漏测试电极。由于利用所述垂直双扩散MOS晶体管测试结构进行测试时只需要用测试探针进行测量，不需要利用测试卡盘与漏电极电接触，提高了测量精度。

主权项

一种垂直双扩散MOS晶体管测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和与所述第一区域相对的第二区域；位于所述第一区域的半导体衬底内的凹槽，所述凹槽内填充满外延层；位于所述外延层表面的栅极结构，位于栅极结构表面的栅电极；位于所述栅极结构两侧的外延层内的第一源区和与所述第一源区相对的第二源区；位于所述第一源区和第二源区表面的源电极；位于所述第二区域的半导体衬底表面的漏测试电极；其中，所述半导体衬底为重掺杂；所述漏测试电极与栅电极、源电极位于晶圆的同一表面。