| 发明名称 | 纳米级颗粒模拟基片再加工方法 | ||
| 摘要 | 一种纳米级颗粒模拟基片再加工方法，包括：提供颗粒模拟基片，所述颗粒模拟基片包括：衬底，位于衬底表面的热氧化层，所述热氧化层具有测试表面；沿所述测试表面对所述热氧化层进行化学机械抛光，使得抛光后的所述测试表面的颗粒数量小于100。本发明的基片再加工方法节约生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102231364B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201110134655.4 | 申请日期 | 2011.05.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 纪登峰;赵波 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I;B24B37/10(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种纳米级颗粒模拟基片再加工方法，其特征在于，包括：提供颗粒模拟基片，所述颗粒模拟基片包括：衬底，位于衬底表面的热氧化层，所述热氧化层具有测试表面；沿所述测试表面对所述热氧化层进行化学机械抛光，使得抛光后的所述测试表面的颗粒数量小于100；其中，所述化学机械抛光工艺参数为：采用碱性的研磨液，抛光速率为400埃/分钟，对所述热氧化层研磨5秒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||