发明名称 | 静电防护型接口电路 | ||
摘要 | 本发明公开了静电防护型接口电路,包括MAX3223ECAP芯片、静电防护电路和电源,所述的静电防护电路上的电容C6、电容C7、三极管T1的集电极、三极管T2的集电极和可控硅器件SCR均连接电阻R2,电阻R2连接在MAX3223ECAP芯片的输入端T2IN上;静电防护电路上的三极管T2的发射极、三极管T3的发射极、三极管T3的基极、可控硅器件SCR、MAX3223ECAP芯片的使能端<img file="dest_path_image001.GIF" wi="23" he="21" />和接地端GND均接地;静电防护电路上的三极管T1的发射极、三极管T3的集电极和MAX3223ECAP芯片的<img file="dest_path_image002.GIF" wi="80" he="27" />端和电源VCC端均接电源。本发明通过上述原理,让时钟接口电路免受静电的影响,保证数据的正常通信。 | ||
申请公布号 | CN103414174B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
申请号 | CN201310365508.7 | 申请日期 | 2013.08.21 |
申请人 | 成都成电光信科技有限责任公司 | 发明人 | 胡钢;邱昆 |
分类号 | H02H9/00(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/00(2006.01)I |
代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 谢敏 |
主权项 | 静电防护型接口电路,其特征在于:包括MAX3223ECAP芯片、静电防护电路和电源,所述的静电防护电路上的电容C6、电容C7、三极管T1的集电极、三极管T2的集电极和可控硅器件SCR均连接电阻R2,电阻R2连接在MAX3223ECAP芯片的输入端T2IN上;静电防护电路上的三极管T2的发射极、三极管T3的发射极、三极管T3的基极、可控硅器件SCR、MAX3223ECAP芯片的使能端<img file="dest_path_image001.GIF" wi="23" he="21" />和接地端GND均接地;静电防护电路上的三极管T1的发射极、三极管T3的集电极和MAX3223ECAP芯片的<img file="dest_path_image002.GIF" wi="80" he="27" />端和电源VCC端均接电源;所述的MAX3223ECAP芯片上的强制打开端FORCEON和电源负极端均接地;所述的静电防护电路包括电容C6、电容C7、三极管T1、三极管T2、三极管T3、电感L和可控硅器件SCR,其中的三极管T1的发射极同时连接三极管T3的集电极和电容C6;电感L、三极管T1的集电极、三极管T2的集电极、电容C6、电容C7和可控硅器件SCR均连接在一起;三极管T2的发射极、三极管T3的发射极、三极管T3的基极和电容C7均连接在一起;三极管T1的基极还与电容C6连接,三极管T2的基极还与电容C7连接;所述的MAX3223ECAP芯片的第一电容输入端C1+和第一电容输出端C1‑之间串联电容C1。 | ||
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