| 发明名称 | 适于单晶硅提拉用石英玻璃坩埚的制造的石英粉的评估方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种适合于单晶硅提拉(pulling of silicon single crystal)用石英玻璃坩埚(vitreous silica crucible)中的无气泡层(bubble layer)的形成的石英粉的评估方法，其具有：测量石英粉的石英粒子间的间隙率的工序、将所述石英粉熔融的工序、测量将熔融石英粉冷却固化而得的石英玻璃块的气泡含有率(bubble content rate)的工序、以及根据所述石英粉的间隙率和所述石英玻璃块的气泡含有率来判定是否是合适的石英粉的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN105308435A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201380077573.8 | 申请日期 | 2013.06.30 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 须藤俊明;佐藤忠广;北原贤;旭冈真喜子 |
| 分类号 | G01N21/17(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/17(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 谢志为 |
| 主权项 | 一种适合于单晶硅提拉(pulling of silicon single crystal)用石英玻璃坩埚(vitreous silica crucible)中的无气泡层(bubble layer)的形成的石英粉(silica powder)的评估方法，其具有：测量石英粉的石英粒子间的间隙率的工序、将所述石英粉熔融的工序、测量将熔融石英粉冷却固化而得的石英玻璃块的气泡含有率(bubble content rate)的工序、以及根据所述石英粉的间隙率和所述石英玻璃块的气泡含有率来判定是否是合适的石英粉的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都港区芝浦一丁目２番１号 | ||