互连结构的形成方法

摘要

本发明提供一种互连结构的形成方法，包括：提供衬底、形成材料层；去除部分材料层以形成开口；形成催化剂层；去除材料层以及位于材料层表面的催化剂层以露出部分衬底；在剩余的催化剂层上形成碳纳米管材料的导电插塞；形成层间介质层。本发明的有益效果在于，在形成碳纳米管材料的导电插塞之前去除多余的催化剂层，以仅形成导电插塞部分的碳纳米管材料。相对于现有技术，不需要在形成导电插塞后增加去除其他部分的碳纳米管材料的步骤，这样可以尽量的减少对于需要保留的碳纳米管材料的导电插塞的影响，例如，保证了形成的碳纳米管的形貌以及管壁曲率等，进而保证形成的碳纳米管材料的导电插塞的性能。

主权项

一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成材料层；在所述材料层中形成贯穿所述材料层的开口；在所述材料层的表面以及所述开口的底部形成催化剂层；去除所述材料层以及位于材料层表面的催化剂层，同时保留位于开口底部的催化剂层；在剩余的催化剂层上形成碳纳米管材料的导电插塞；形成覆盖所述导电插塞的层间介质层；去除部分层间介质层，以露出碳纳米管材料的导电插塞。