| 发明名称 | 利用湿式晶片背面接触进行铜镀硅穿孔的方法 | ||
| 摘要 | 提供一种处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，所述方法包括：提供具有孔的硅基板，所述孔在孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；和通过使电流流经基板的背侧而将基板暴露于电镀工艺，以在金属种晶层上形成金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN105308723A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201480032592.3 | 申请日期 | 2014.05.27 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 罗曼·古科;史蒂文·韦尔韦贝克 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;赵静 |
| 主权项 | 一种在基板上沉积材料的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有孔的硅基板，所述孔在所述孔的底部处含有暴露的硅接触表面；在所述孔的所述底部处的所述暴露的硅接触表面上沉积金属种晶层；和通过使电流流经所述基板的背侧而将所述基板暴露于电镀工艺，以在所述金属种晶层上形成金属层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||