| 发明名称 | FinFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度界面。 | ||
| 申请公布号 | CN105304715A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510612319.4 | 申请日期 | 2012.11.30 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层与鳍状结构位于穿通阻止层之上的部分之间具有掺杂浓度界面。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||