发明名称 一种大功率半导体二极管
摘要 本实用新型公开了一种大功率半导体二极管,包括引线、阴极端子、阳极端子、连接头、P型半导体、N型半导体、PN结、合金层和底座,所述合金层设置于所述底座上方,所述合金层内部设置有P型半导体和N型半导体,所述P型半导体和N型半导体之间设置有PN结,所述P型半导体与所述阳极端子相连接,所述N型半导体与所述阴极端子相连接,所述阴极端子和阳极端子上均设置有引线,所述连接头连接端子和引线。本实用新型的优点在于:该二极管采用带有微槽散热结构的合金层,配合高导热效率的金属导热层,提高了大功率二极管的散热效率、延长了二极管的使用寿命,提高了使用稳定性。
申请公布号 CN205016512U 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201520819283.2 申请日期 2015.10.22
申请人 深圳市九鼎安电子有限公司 发明人 许霞林
分类号 H01L23/367(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种大功率半导体二极管,包括引线(1)、阴极端子(2)、阳极端子(3)、连接头(4)、P型半导体(5)、N型半导体(6)、PN结(7)、合金层(8)和底座(9),所述合金层(8)设置于所述底座(9)上方,所述合金层(8)内部设置有P型半导体(5)和N型半导体(6),所述P型半导体(5)和N型半导体(6)之间设置有PN结(7),所述P型半导体(5)与所述阳极端子(3)相连接,所述N型半导体(6)与所述阴极端子(2)相连接,所述阴极端子(2)和阳极端子(3)上均设置有引线(1),所述连接头(4)连接阴极端子(2)、阳极端子(3)和引线(1);所述合金层(8)设置有微型凹槽(81),所述合金层(8)外有高效导热涂层。
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