发明名称 |
光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统 |
摘要 |
本发明公开了一种光刻蚀方法,所述方法包括:在基底上形成待图案化的材料层;在所述材料层上形成光致抗蚀剂层;使用叠加的至少两光罩对所述光致抗蚀剂层进行曝光,每个光罩上设有相应图案,所述至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案;对所述曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构;利用所述镂空结构对材料层进行刻蚀,以形成图案化的材料层。本发明还公开了一种光罩组合和一种光罩系统。通过上述方式,本发明能够降低光罩的重新制作机率,节约成本。 |
申请公布号 |
CN102608860B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201210082947.2 |
申请日期 |
2012.03.26 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
郑文达 |
分类号 |
G03F1/80(2012.01)I;G03F1/56(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/80(2012.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦;丁建春 |
主权项 |
一种光刻蚀方法,其特征在于,包括:在基底上形成待图案化的材料层;在所述材料层上形成光致抗蚀剂层;使用叠加的至少两光罩对所述光致抗蚀剂层进行曝光,每个光罩上设有相应图案,所述至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成包括每个所述光罩上的相应图案的新图案,其中,相应图案叠加结合而形成的新图案的光罩为一套光罩,每套所述光罩包括主光罩和辅光罩,至少两套光罩中的主光罩为相同光罩,而辅光罩为不同光罩,并且所述主光罩为暗场光罩,所述辅光罩为亮场光罩,所形成的新图案为所述主光罩上去除对应辅光罩的图案剩下的图案;对所述曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构;利用所述镂空结构对材料层进行刻蚀,以形成图案化的材料层。 |
地址 |
518000 广东省深圳市光明新区公明办事处塘家社区观光路汇业科技园综合楼1第一层B区 |