发明名称 | 用于形成嵌入式锗硅的方法 | ||
摘要 | 本申请公开一种用于形成嵌入式锗硅的方法。该方法包括:提供前端器件结构,该前端器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上的栅极结构;在前端器件结构的表面上沉积掺杂碳的氮化硅层;在掺杂碳的氮化硅层的表面上形成氮化硅膜;进行光刻和刻蚀工艺,在半导体衬底中要形成源极和漏极的位置形成凹陷区;以及在凹陷区中外延生长嵌入式锗硅。 | ||
申请公布号 | CN105304491A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
申请号 | CN201410365793.7 | 申请日期 | 2014.07.29 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何有丰 |
分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 邢德杰 |
主权项 | 一种用于形成嵌入式锗硅的方法,包括:提供前端器件结构,所述前端器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上的栅极结构;在所述前端器件结构的表面上沉积掺杂碳的氮化硅层;在所述掺杂碳的氮化硅层的表面上形成氮化硅膜;进行光刻和刻蚀工艺,在半导体衬底中要形成源极和漏极的位置形成凹陷区;以及在凹陷区中外延生长嵌入式锗硅。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |