晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法

摘要

本发明是有关于一种晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法。该晶体管装置包括跨置导体，晶体管具有栅极、通道及源极/漏极端，跨置导体设于源极/漏极端，电路连接于跨置导体，以施加一偏压，此偏压对被捕捉于绝缘材料内的电荷产生补偿倾向。

主权项

一种晶体管装置，其特征在于其包括：一晶体管，具有一栅极、一通道及一第一源极/漏极端；一跨置导体，设于该第一源极/漏极端上方，且与该第一源极/漏极端隔离，且通过一绝缘材料与该栅极隔离；以及一电路，连接于该跨置导体，以施加一偏压，而倾向产生该晶体管的电荷被捕捉于该绝缘材料的补偿效果。