| 发明名称 | 半导体处理 | ||
| 摘要 | 本文中描述用于半导体处理的装置、方法及系统。若干个半导体处理方法实施例可包含：在结构上形成硅层；形成穿过所述硅层且进入到所述结构中的开口；及在所述开口中选择性地形成电阻可变材料以使得所述电阻可变材料不形成于所述硅层上。 | ||
| 申请公布号 | CN105304814A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510695614.0 | 申请日期 | 2010.03.11 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 尤金·P·马什;蒂莫西·A·奎克 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种半导体处理方法，其包括：在结构(104)上形成硅层(106)；形成穿过所述硅层(106)且进入到所述结构(104)中的开口(112)；在所述开口(112)中选择性地形成电阻可变材料(122)以使得所述电阻可变材料(122)不与所述硅层(106)的任何部分形成接触；及在发生所述电阻可变材料(122)的形成的同一环境中，在所述电阻可变材料(122)及硅层(106)上原位形成帽盖(124)。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||