一种非挥发性阻变式储存电路及其控制方法

摘要

一种高密度的与非(NAND)型态非挥发性阻变式储存电路及其控制方法在此揭露，其单个记忆单元是由一个场效式晶体管在其栅电极连接阻变元件，其中组成记忆单元的场效式晶体管，可为n型通道晶体管或为p型通道晶体管，通过阻变元件一端与晶体管漏极或源极与它的跨压，可以产生两种以上稳定存在的状态，由晶体管漏极或源极量得。与非型态储存电路则由上述记忆单元为核心，形成多位记忆体。该电路是由多个位的记忆单元，以串联方式组成，具有与非逻辑门功能且形成串列型态储存信号与输出。本发明的技术方案与现有的氮化硅记忆体结构、技术相比具有明显的优点和优异性能。

主权项

一种非挥发性阻变式储存电路，其特征在于，包含多个记忆单元，其中所述记忆单元的每一者包含：一场效式晶体管，包含一栅极、一源极、一漏极以及在该栅极和该源极和该漏极之间的一通道；一阻变元件，包含：一第一端，电性连接于该栅极；以及一第二端，电性连接于一导通电极；其中该阻变元件是由至少一第一金属层上堆叠至少一氧化物层，该氧化物层上堆叠至少一第二金属层所构成，其中该阻变元件的电阻值、导电率或流通的电流会根据于该阻变元件的该第一端与该第二端之间施加的电压差或通过的电流值而具有两种以上的稳定状态。