发明名称 |
切割部件的末端形状的设计方法、半导体芯片制造方法、电路板及电子装置 |
摘要 |
切割部件的末端形状的设计方法包括如下各工序:在基板的正面上形成正面侧的沟槽;以及利用具有比正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从基板的背面形成与正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽,从而将基板划片为半导体芯片。该设计方法包括如下各工序:准备末端部具有不同锥度的多个切割部件;准备具有相同形状的多个正面侧的沟槽;对于多个切割部件中的每一者,确认利用切割部件形成背面侧的沟槽获得的破裂状况;以及如果确认多个切割部件包含引起破裂的切割部件和不引起破裂的切割部件这两种,则将不引起破裂的切割部件的锥度作为用于批量制造工艺的切割部件的末端形状。 |
申请公布号 |
CN105308724A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201480035012.6 |
申请日期 |
2014.06.25 |
申请人 |
富士施乐株式会社 |
发明人 |
皆见健史;手塚弘明;村田道昭;山崎宪二;大塚勤;山田秀一;大野健一 |
分类号 |
H01L21/301(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/301(2006.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
顾红霞;何胜勇 |
主权项 |
一种在半导体件制造方法中使用的切割部件的末端形状的设计方法,所述半导体件制造方法包括如下工序:在基板的正面上形成正面侧的沟槽;以及利用具有比所述正面侧的沟槽的宽度大的厚度的旋转切割部件来从所述基板的背面形成与所述正面侧的沟槽连通的背面侧的沟槽并且将所述基板个体化成具有台阶部的半导体件,所述台阶部是由所述正面侧的沟槽的宽度与所述背面侧的沟槽的宽度之间的差异而形成的;所述设计方法包括如下工序:准备末端部具有不同锥度的多个切割部件;准备具有相同形状的多个所述正面侧的沟槽;针对利用用于多个所述正面侧的沟槽的所述多个切割部件形成所述背面侧的沟槽的各情况确认所述台阶部的破裂状况;以及当确认在所述多个切割部件中包含导致所述台阶部破裂的切割部件和不导致所述台阶部破裂的切割部件这两种时,将不导致所述台阶部破裂的切割部件的锥度选为将要用于批量生产工艺的切割部件的末端形状。 |
地址 |
日本东京 |