| 发明名称 | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，用以去除传送过程中晶体硅片表面和硅薄膜层上的沾污和氧化层，提高晶体硅片表面的钝化质量，提升电池的填充因子和转换效率。所述异质结太阳能电池的制备方法，包括：在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗。 | ||
| 申请公布号 | CN105304746A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510622094.0 | 申请日期 | 2015.09.24 |
| 申请人 | 新奥光伏能源有限公司 | 发明人 | 王进;张娟;陈光羽;谷士斌;张林;田小让;侯洪涛;赵冠超;何延如;杨荣;王琦;李立伟;郭铁 |
| 分类号 | H01L31/074(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/074(2012.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：在晶体硅片第一侧表面沉积第一硅薄膜层，在晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层；在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之前，对所述第一硅薄膜层和所述晶体硅片第二侧表面进行清洗，和/或在所述晶体硅片第二侧表面沉积第二硅薄膜层之后，对所述第一硅薄膜层和所述第二硅薄膜层进行清洗，其中，所述晶体硅片的第一侧表面与第二侧表面相对。 | ||
| 地址 | 065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号 | ||