半导体器件及其封装方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其封装方法。其中，半导体器件包括半导体基底和柱状电极，所述半导体基底上具有焊盘，所述焊盘与所述柱状电极的一端电连接，所述柱状电极外侧裹覆焊接凸点，且所述焊接凸点覆盖所述柱状电极的周面及远离所述焊盘的端面。上述方案，使焊接凸点裹覆在柱状电极的外侧，使焊接凸点与柱状电极形成了类似插销的结构，焊接凸点与柱状电极由现有的单平面接触变为多面接触，接触面积增大，两者的结合力增强，使得焊接凸点受到的可接受外力大大增强，进而提高了焊接凸点与柱状电极结合的可靠性。

主权项

一种半导体器件，包括半导体基底和柱状电极，所述半导体基底上具有焊盘，所述焊盘与所述柱状电极的一端电连接，其特征在于，所述焊盘与所述柱状电极之间设置有相互堆叠的金属浸润层和耐热金属层，所述金属浸润层与所述柱状电极的端面连接，所述耐热金属层与所述焊盘的端面连接，所述柱状电极外侧裹覆焊接凸点，且所述焊接凸点覆盖所述柱状电极的周面，所述焊接凸点延及金属浸润层和耐热金属层及远离所述焊盘的端面；所述柱状电极远离所述焊盘的端面设置有凹槽，所述柱状电极的端面布设多个或一个所述凹槽，其中多个所述凹槽在所述柱状电极的端面呈直线分布、矩阵分布、同心圆分布、同心圆环分布、多边形分布或者不规则分布；所述焊接凸点具有与所述凹槽吻合配合的凸起部；所述半导体器件的封装方法包括如下步骤：在具有焊盘的半导体基底上形成与所述焊盘电连接的柱状电极，且所述柱状电极靠近焊盘的端面与所述焊盘电连接；将所述柱状电极浸入焊料槽，使所述柱状电极的周面延及金属浸润层和耐热金属层及远离焊盘的端面均被焊料裹覆；回流柱状电极外侧裹覆的所述焊料，形成焊接凸点。