| 发明名称 | 硅片及退火处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种集成电路用单晶硅硅片及其退火处理方法。所述的硅片其特征在于空位型缺陷的无瑕疵层深度为5~13μm；硅片厚度中心处的BMD密度不低于5×10<sup>8</sup>/cm³，硅片的线性滑移位错总长小于4cm，滑移累积总面积小于8cm<sup>2</sup>。且该硅片是于非氧化气氛和施加电场的环境中，在不低于1200℃的情况下热处理至少2小时而制得。 | ||
| 申请公布号 | CN105297140A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510573095.0 | 申请日期 | 2015.09.10 |
| 申请人 | 上海超硅半导体有限公司 | 发明人 | 李秦霖;山田宪治;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种由Cz法拉制的单晶硅硅锭制得的单晶硅硅片，其特征在于所述硅片的空位型缺陷的无瑕疵层深度达5~13μm，硅片厚度中心处的BMD密度不低于5×10<sup>8</sup>/cm³，硅片的线性滑移位错总长小于4cm，滑移累积总面积小于8cm<sup>2</sup>。 | ||
| 地址 | 201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号 | ||