| 发明名称 | 量子点发光场效应晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种量子点发光场效应晶体管及其制备方法。所述量子点发光场效应晶体管，包括一栅极，所述栅极在一侧凸出形成栅极凸台；设置在所述栅极上的绝缘层，且所述绝缘层不与所述栅极凸台接触；设置在所述绝缘层上与所述栅极凸台相对的一侧的源极；设置在所述绝缘层与所述源极相连的碳纳米管层；设置在所述碳纳米管层上的半导体层，且所述半导体层不与所述源极接触；以及依次层叠设置在所述半导体层上的量子点发光层和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN105304830A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510649142.5 | 申请日期 | 2015.10.09 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 肖标;付东;闫晓林 |
| 分类号 | H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人 | 张全文 |
| 主权项 | 一种量子点发光场效应晶体管，其特征在于，包括一栅极，所述栅极在一侧凸出形成栅极凸台；设置在所述栅极上的绝缘层，且所述绝缘层不与所述栅极凸台接触；设置在所述绝缘层上与所述栅极凸台相对的一侧的源极；设置在所述绝缘层与所述源极相连的碳纳米管层；设置在所述碳纳米管层上的半导体层，且所述半导体层不与所述源极接触；以及依次层叠设置在所述半导体层上的量子点发光层和漏极。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||