发明名称 |
在氮化镓器件和集成电路中制备自对准隔离的方法 |
摘要 |
形成具有绝源区域的增强型氮化镓异质结场效应晶体管,自对准接触开口或金属掩膜窗口。有利地,所述方法不需要专用隔离掩膜以及相关的处理步骤,因此减少制造成本。所述方法包括提供EPI结构包括基底、缓冲层、氮化镓层以及阻挡层。介质层形成在所述阻挡层之上,开口形成于所述介质层作为器件接触开口和隔离接触开口。 |
申请公布号 |
CN105308721A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201480020258.6 |
申请日期 |
2014.07.02 |
申请人 |
宜普电源转换公司 |
发明人 |
周春华;曹建军;亚力山大·利道;R·比奇;阿兰娜·纳卡塔;罗伯特·斯特里马特;赵广元;塞沙德里·科卢里;马艳萍;刘芳昌;蒋明坤;曹佳丽 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
高伟;冯永贞 |
主权项 |
形成具有至少两个晶体管器件的集成电路的方法,所述方法包括:在基底上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成氮化镓层;在所述氮化镓层上形成阻挡层;在所述阻挡层上形成介质层;在所述介质层形成至少一用于所述至少两个晶体管器件中的每一个的器件接触开口以及在所述至少两个晶体管器件之间的所述介质层中形成隔离接触开口;在所述介质层、所述器件接触开口和所述隔离接触开口上形成金属层;在每一个所述器件接触开口上形成光刻胶膜;蚀刻所述金属层,以在所述隔离接触开口上形成金属掩膜窗口;以及蚀刻通过所述介质层中的所述隔离接触开口暴露的部分所述阻挡层和所述氮化镓层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |