| 发明名称 | 高稳定性电子自旋存储器 | ||
| 摘要 | 实施例包括：磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及所述自由磁层与所述固定磁层之间的隧道势垒；所述隧道势垒直接接触所述自由磁层的第一侧；以及氧化物层，其直接接触所述自由磁层的第二侧；其中，所述隧道势垒包括氧化物并且具有第一电阻-面积(RA)乘积，并且所述氧化物层具有低于所述第一RA乘积的第二RA乘积。所述MTJ可以包括在垂直自旋转移矩存储器中。所述隧道势垒和所述氧化物层形成了具有高稳定性的存储器，其RA乘积大体上不高于具有仅单个氧化物层的MTJ的较不稳定的存储器。本文中描述了其它实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN105308683A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201380074016.0 | 申请日期 | 2013.03.28 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | C·郭;K·奥乌兹;B·多伊尔;E·I·卡尔波夫;R·M·莫亚拉德;D·肯克;R·周 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 林金朝;王英 |
| 主权项 | 一种装置，包括：磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及位于所述自由磁层与所述固定磁层之间的隧道势垒；所述隧道势垒直接接触所述自由磁层的第一侧；以及氧化物层，其直接接触所述自由磁层的第二侧；其中，所述隧道势垒包括氧化物并且具有第一电阻‑面积(RA)乘积，并且所述氧化物层具有低于所述第一RA乘积的第二RA乘积。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||