PN结及其制造方法

摘要

一种PN结及其制造方法，所述PN结包括：第一掺杂的第一半导体层；位于第一半导体层上的介质层，所述介质层中设置有开口，所述开口露出所述第一半导体层，所述介质层的横截面为开口端厚度较小的楔形；填充于所述开口、且覆盖于所述介质层上的第二掺杂的第二半导体层。相应地，本发明还提供一种PN结的制造方法。本发明可以避免因PN结较浅而引起的漏电流较大的问题。

主权项

一种PN结的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层为第一掺杂的半导体层；在所述第一半导体层上形成介质层，图形化所述介质层，在所述介质层中形成开口，在形成开口的过程中减薄所述介质层，形成开口端厚度较小的楔形介质层；向所述开口中填充半导体材料，形成覆盖于介质层上的第二半导体层；通过离子注入方式对所述第二半导体层进行第二掺杂。