| 发明名称 | 带人工磁导体结构的高增益太赫兹天线 | ||
| 摘要 | 带人工磁导体结构的太赫兹天线，利用CMOS工艺后端的多层金属工艺制造人工磁导体结构；天线具有六层金属，从最底到最上层分别为M1～M6层；使用M6制作天线，并通过通孔连接到由MOSEFTs器件构成的太赫兹传感器上；使用M1和M2制作人工磁导体底板来代替原有的光滑底板；底板M1为金属平板，M2金属层制备成周期性金属结构，M2层为正方形周期性金属块结构，正方形金属块边长L为5-8μm，正方形金属块周期间隔约为43-45μm，正方形金属块中心通过中心柱与底板相连，中心柱的尺寸是正方形金属块边长的1/10-1/5；M2金属层制备成周期性金属结构和M1平板之间组成一个等效的LC振荡电路。 | ||
| 申请公布号 | CN105305034A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510733273.1 | 申请日期 | 2015.10.30 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 纪小丽;廖轶明;郑挺;闫锋 |
| 分类号 | H01Q1/36(2006.01)I;H01Q19/10(2006.01)I | 主分类号 | H01Q1/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 带人工磁导体结构的太赫兹天线，其特征是利用CMOS工艺后端的多层金属工艺制造人工磁导体结构；天线具有六层金属，从最底到最上层分别为M1～M6层；使用M6制作天线，并通过通孔连接到由MOSEFTs器件构成的太赫兹传感器上；使用M1和M2制作人工磁导体底板来代替原有的光滑底板；底板M1为金属平板，M2金属层制备成周期性金属结构，M2层为正方形周期性金属块结构，正方形金属块边长L为5‑8μm，正方形金属块周期间隔约为43‑45μm，正方形金属块中心通过中心柱与底板相连，中心柱的尺寸是正方形金属块边长的1/10‑1/5；M2金属层制备成周期性金属结构和M1平板之间组成一个等效的LC振荡电路。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号 | ||